摘要：挪威和德國的研究人員在硅上使用石墨烯掩模生長出了氮化鋁鎵(AlGaN)納米錐陣列。發(fā)表于[A.Mazid Munshi et al,Appl.Phys.Lett.,vol113,p263102,2018]挪威CrayoNano AS公司、德國馬克斯-普朗克學會光學所、德國亥姆霍茲柏林能源與材料中心、挪威科技大學(NTNU)和挪威科技工業(yè)研究院(SINTEF)的研究團隊看到了該材料在紫外(UV)發(fā)光二極管,光電探測器和激光器的潛在應用價值。他們希望這種材料能夠克服由晶格和熱膨脹不匹配引起的缺陷的平面III族氮化物結(jié)構(gòu)的問題。石墨烯可以實現(xiàn)準范德華外延,避免懸掛化學鍵引起的問題。