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摘要：日本富士通研究所近期報道了在金剛石熱控制的基礎上,適用于碳化硅(SiC)上~3GHz InAlGaN高電子遷移率晶體管(HEMT)[Toshihiro Ohki et al,IEEE Electron Device Letters,published online 5December 2018]。其中熱管理是實現(xiàn)更高功率密度的關鍵步驟。金剛石是一種具有非常高導熱性的材料。
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