基于g m/Id參數的CMOS運算放大器設計重用方法
作者：于浩; 郭裕順; 李康 杭州電子科技大學電子信息學院; 浙江杭州310018
摘要：模擬電路的設計重用是提高模擬與混合信號集成電路設計效率的重要途徑.本文提出了一種基于gm/Id參數的不同工藝之間同一結構電路的設計移植方法.方法的基本思想是保持移植前后電路中部分關鍵MOS管的gm/Id參數,從而使移植后電路的性能也基本保持不變.介紹了基于BSIM等模型的gm/Id匹配及移植電路參數確定方法.給出了一個Miller補償兩級運放及一個折疊共源共柵運放從0.35μm工藝到0.18μm、0.13μm、90nm工藝的移植仿真結果.與現有方法相比,本文方法可以更小的計算代價,得到性能基本相同、但功耗與面積縮減的電路.
注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
相關熱門期刊
