摘要：為了改善碳化硅陶瓷基片的介電性能,開發不同于漿料燒結法的陶瓷基片制備新工藝。采用先驅體轉化法,通過向先驅體中添加鈹作為異質元素,再進行流延和燒成,制備出了含有鈹元素的改性碳化硅陶瓷基片。對含鈹碳化硅陶瓷基片的介電常數和介電損耗進行了表征,發現雖然其介電常數和介電損耗相比常用的Al2O3等陶瓷基片材料沒有明顯提升,但鈹元素含量對介電常數和介電損耗曲線的峰值區頻率有明顯的影響,可通過調節碳化硅陶瓷中鈹元素的含量制得在特定頻率范圍下具有低介電常數和低介電損耗的改性碳化硅陶瓷基片。