摘要：隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,晶體管特征頻率不斷提高,已經(jīng)進(jìn)入到太赫茲(THz)頻段,使得固態(tài)器件可以在THz頻段工作。THz放大器可以將微弱的信號(hào)進(jìn)行放大,在THz系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。介紹了基于氮化鎵(Gallium Nitride,GaN)高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件、磷化銦(Indium Phosphide,InP)HEMT器件和InP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管/雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor,HBT/DHBT)器件的THz單片放大器研究進(jìn)展。