摘要：考慮強場峰和耗盡電勢隨柵壓的變化后,使用新編的場效應管能帶計算軟件計算了GaN HFET在不同柵、漏電壓下的場效應管能帶和漂移及局域電子氣密度,發現了強場峰中耗盡區內外漂移電子氣的耗盡臺階和能帶峰臺階以及耗盡區外的局域電子氣峰。研究了不同柵、漏電壓下的場效應管能帶的耗盡過程,發現耗盡區接觸能帶峰后的巨大能帶畸變。提出了能帶峰耗盡的新概念。運用應力偏置后測試偏置下局域電子氣勢壘和非穩態異質結的變化及局域電子氣行為確立了應力偏置中內溝道夾斷和外溝道強場峰的關聯。通過施加應力偏置后在測試偏置下的非穩態強場峰充電過程中兩種電子氣的不同輸運行為解釋了動態溝道電流中的快峰和慢峰,建立起基于場效應管能帶理論的新的動態電流崩塌模型。