摘要：報道了一款采用0.35μm GaN HEMT工藝的C波段高增益功率模塊。模塊采用三級放大電路拓撲,正負電源結構設計。末級匹配電路采用低損耗高Q值的陶瓷片實現,通過一級L-C阻抗變換和兩級威爾金森功分器,既進行了阻抗匹配又實現了功率合成。前級和中間級匹配電路采用高集成GaAs匹配電路實現,通過優化前級和中間級的推動比和級間匹配電路,降低了驅動級功耗。整個模塊采用低熱膨脹率、高熱導率的銅-鉬-銅(CMC)載板實現,解決了管芯熱匹配和熱傳導的問題。通過這三種技術途徑有效實現了模塊的高效率、小型化和低成本。測試表明,該器件在5.2~5.9GHz頻帶內、28V工作電壓下,飽和輸出功率達到了200W以上,此時功率增益為26dB、典型功率附加效率(PAE)為50%。