摘要：設(shè)計(jì)了一款超低功耗寬帶低噪聲放大器(LNA)。該LNA采用互補(bǔ)電流復(fù)用結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)采用共柵級(jí)NMOS管和PMOS管作為輸入器件。采用有源并聯(lián)反饋結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)輸入網(wǎng)絡(luò)的低功耗,同時(shí)反饋級(jí)的電流被輸入晶體管復(fù)用,改善LNA的電流效率。利用襯底偏置方案,對(duì)反饋系數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)。基于TSMC 0.13μm CMOS工藝技術(shù)進(jìn)行流片,芯片面積為0.007、2mm^2。芯片在片測(cè)試結(jié)果為:在1V電壓供電下,消耗了500μA的電流。LNA的3dB帶寬為0.1~2.5GHz,增益為9.5~13.6dB,噪聲系數(shù)低于4.7dB,輸入三階交調(diào)截止點(diǎn)為-9.3~-6.8dBm。