摘要：從理論上提出了一種新型金屬性硅的同素異形體hP12-Si。hP12-Si結構可以看作是由六元環形成的一種隧道型結構,與之前報道的Si24結構近似。彈性常數和聲子譜的計算結果驗證了該結構在常壓下的穩定性。通過結構遺傳性和熱力學穩定性分析表明,可以效仿Si24的制備方法,通過預先合成出高壓前驅物LiSi12再除去其中的Li原子來獲得hP12-Si。在這種結構中,有一半的硅原子為5配位,其他硅原子為4配位。電子結構計算表明,該結構具有金屬導電性,導電性主要是由于5配位原子的存在導致價電子具有離域性。