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CSNS-Ⅱ超導橢球腔的高頻設計和二次電子倍增研究

作者:李波; 劉華昌; 王云; 吳小磊; 瞿培華; 李阿紅; 樊夢旭; 陳強 東莞中子科學中心; 東莞523803; 中國科學院高能物理研究所; 北京100049

摘要:中國散裂中子源二期(China Spallation Neutron Source,CSNS-Ⅱ)升級,直線加速器能量增益將由現在的80 MeV提高到300 MeV,打靶束流功率由100 kW提高到500 kW。直線加速器升級采用Spoke腔加橢球腔的全超導結構,其中5-cell橢球腔負責把H^-從150 MeV加速到300 MeV,工作頻率為648 MHz,幾何β(g βgλ/2為橢球腔單元長度,λ為工作波長)取0.60。利用三維全波電磁場仿真軟件CST (Computer Simulation Technology)對該橢球腔進行了研究分析,優化了橢球腔的高頻參數和幾何尺寸,使得軸向電場平整度、峰值電場比、峰值磁場比分別達到98.2%、2.70和4.89 mT·(MV/m)^-1,R/Q值為305.59 Ω。通過計算分析橢球腔的二次電子倍增效應,對發生二次電子倍增嚴重的地方進行了形狀改良,減弱二次電子倍增,并且加速梯度在8 MV·m^-1以上完全抑制了二次電子倍增。另外,對橢球腔的洛倫茲力進行了初步計算分析。

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