SrTiO3晶界層電容陶瓷的介電性能與晶粒大小的關系
作者：李慧娟; 董浩; 石大為; 何創(chuàng)創(chuàng); 龐錦標; 楊昌平 湖北大學物理與電子科學學院; 湖北武漢430062; 貴州振華電子信息產(chǎn)業(yè)技術研究有限公司; 貴州貴陽550018
摘要：采用二次燒結法制備SrTiO3(STO)多晶陶瓷,研究瓷片介電性能與燒結溫度和晶粒大小的關系.實驗結果表明,STO晶粒尺寸隨燒結的溫度呈現(xiàn)先升高后下降的變化,相應的介電常數(shù)與晶粒變化類似,即隨著溫度升高先升后降.在保證還原性氣體比例不變的條件下,STO瓷片的介電性能在1440℃燒結2h時達到最佳,介電常數(shù)為24000,損耗在0.02左右,溫度系數(shù)小于20%.該結果基本達到Ⅲ類瓷技術標準,可廣泛用于低頻高介電路中.
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