摘要：基于寬禁帶半導體碳化硅材料,設計了一款4H-SiC基肖特基二極管,并利用Sentaurus模擬器對器件的正向特性和反向擊穿特性進行了模擬研究。一方面介紹了Sentaurus模擬器在本文模擬中應著重解決的器件結構設計及網格優化問題,另一方面,模擬結果表明設計的4H-SiC肖特基二極管正向開啟電壓達到2.24V,反向擊穿電壓達到1278V,反向擊穿電流達到12A。因此,碳化硅材料在肖特基二極管制造領域將具有極大的應用潛力及優勢。