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摘要：采用真空熱蒸發工藝，在ITO基片上分別制備ZnS薄膜和In薄膜，在正交實驗條件下，以2％摻雜濃度的In原子摻雜可獲得較高的載流子濃度，在此基礎上，研究了不同退火溫度對ZnS：In薄膜的光、電性能的影響。
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