摘要：IGZO-TFT鈍化層設(shè)計(jì)三元復(fù)合過孔結(jié)構(gòu),出現(xiàn)了20%過孔相關(guān)不良。本文以CF4/O2為反應(yīng)氣體,采用控制變量法,從功率、氣體成分和比例、壓力等方面對(duì)氧化物TFT鈍化層的電感耦合等離子體刻蝕機(jī)理進(jìn)行研究。當(dāng)鈍化層為SiO2或SiNx單組分時(shí),氧氣可以促進(jìn)刻蝕反應(yīng);隨著CF4/O2比例增加,刻蝕速率先增大后趨于穩(wěn)定,并且當(dāng)CF4/O2=15/8時(shí),刻蝕速率和均一性達(dá)到最優(yōu);與源功率相比,提高偏壓功率在提升刻蝕速率中起主導(dǎo)作用,同時(shí)均一性控制在15%以內(nèi);當(dāng)壓力在4Pa以內(nèi)時(shí),刻蝕速率隨著壓力的降低而增加。據(jù)此分析,對(duì)復(fù)合結(jié)構(gòu)SiNx/SiO2、SiO2/SiNx、SiNx/SiO2/SiNx的刻蝕過程進(jìn)行優(yōu)化,得到了形貌規(guī)整、無殘留物的過孔,過孔相關(guān)不良得到100%改善。