壓接型IGBT均流設計
作者：劉國友; 竇澤春; 羅海輝; 覃榮震; 王彥剛 新型功率半導體器件國家重點實驗室; 湖南株洲412001; 株洲中車時代電氣股份有限公司; 湖南株洲412001; 中車株洲電力機車研究所有限公司; 湖南株洲412001
摘要：針對壓接型絕緣柵雙極晶體管(IGBT)內部均流設計,對多芯片壓接結構及其壓力均衡、壓接型IGBT芯片內部均流、子單元間均流等方面進行了研究和優化設計。試驗驗證了壓接型IGBT具有良好的電流關斷能力、短路電流能力及反偏安全工作區,器件內部均流狀態較好。
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