期刊簡介
Journal Title：Microelectronics Journal
Published since 1969, the Microelectronics Journal is an international forum for the dissemination of research and applications of microelectronic systems, circuits, and emerging technologies. Papers published in the Microelectronics Journal have undergone peer review to ensure originality, relevance, and timeliness. The journal thus provides a worldwide, regular, and comprehensive update on microelectronic circuits and systems.
The Microelectronics Journal invites papers describing significant research and applications in all of the areas listed below. Comprehensive review/survey papers covering recent developments will also be considered. The Microelectronics Journal covers circuits and systems. This topic includes but is not limited to: Analog, digital, mixed, and RF circuits and related design methodologies; Logic, architectural, and system level synthesis; Testing, design for testability, built-in self-test; Area, power, and thermal analysis and design; Mixed-domain simulation and design; Embedded systems; Non-von Neumann computing and related technologies and circuits; Design and test of high complexity systems integration; SoC, NoC, SIP, and NIP design and test; 3-D integration design and analysis; Emerging device technologies and circuits, such as FinFETs, SETs, spintronics, SFQ, MTJ, etc.
Application aspects such as signal and image processing including circuits for cryptography, sensors, and actuators including sensor networks, reliability and quality issues, and economic models are also welcome.
中文簡介
《微電子學(xué)雜志》自 1969 年創(chuàng)刊以來，是一個傳播微電子系統(tǒng)、電路和新興技術(shù)研究和應(yīng)用的國際論壇。《微電子學(xué)雜志》上發(fā)表的論文都經(jīng)過同行評審，以確保其原創(chuàng)性、相關(guān)性和時效性。因此，該雜志提供了有關(guān)微電子電路和系統(tǒng)的全球定期全面更新。
《微電子學(xué)雜志》誠邀撰寫描述以下所有領(lǐng)域重要研究和應(yīng)用的論文。涵蓋最新發(fā)展的綜合評論/調(diào)查論文也將予以考慮。《微電子學(xué)雜志》涵蓋電路和系統(tǒng)。該主題包括但不限于：模擬、數(shù)字、混合和射頻電路及相關(guān)設(shè)計方法；邏輯、架構(gòu)和系統(tǒng)級綜合；測試、可測試性設(shè)計、內(nèi)置自測試；面積、功率和熱分析與設(shè)計；混合域仿真與設(shè)計；嵌入式系統(tǒng)；非馮諾依曼計算及相關(guān)技術(shù)和電路；高復(fù)雜度系統(tǒng)集成的設(shè)計和測試； SoC、NoC、SIP 和 NIP 設(shè)計和測試；3-D 集成設(shè)計和分析；新興器件技術(shù)和電路，如 FinFET、SET、自旋電子學(xué)、SFQ、MTJ 等。
也歡迎應(yīng)用方面，例如信號和圖像處理（包括密碼電路）、傳感器和執(zhí)行器（包括傳感器網(wǎng)絡(luò)）、可靠性和質(zhì)量問題以及經(jīng)濟模型。
期刊點評
Microelectronics Journal創(chuàng)刊于1967年，由Elsevier出版商出版，收稿方向涵蓋工程技術(shù) - 工程：電子與電氣全領(lǐng)域，此刊是中等級別的SCI期刊，所以過審相對來講不是特別難，但是該刊專業(yè)認(rèn)可度不錯，仍然是一本值得選擇的SCI期刊 。平均審稿速度 約3.0個月 ，影響因子指數(shù)1.9，該期刊近期沒有被列入國際期刊預(yù)警名單，廣大學(xué)者值得一試。
中科院分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2023年12月升級版）
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 3區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
名詞解釋：
中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū)，基礎(chǔ)版分為13個大類學(xué)科，然后按照各類期刊影響因子分別將每個類別分為四個區(qū)，影響因子5%為1區(qū)，6%-20%為2區(qū)，21%-50%為3區(qū)，其余為4區(qū)。
中科院分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2022年12月升級版）
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 3區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2021年12月舊的升級版）
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2021年12月基礎(chǔ)版）
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2021年12月升級版）
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2020年12月舊的升級版）
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
WOS分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2023-2024年最新版）
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 110 / 140 |
21.8% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 238 / 354 |
32.91% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q3 | 94 / 140 |
33.21% |
名詞解釋：
WOS即Web of Science，是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫，Web of Science包括自然科學(xué)、社會科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息，來自全世界近9,000種最負(fù)盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時會按照某一個學(xué)科領(lǐng)域劃分，根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名，然后平均分成4等份，期刊影響因子值高的就會在高分區(qū)中，最后的劃分結(jié)果分別是Q1，Q2，Q3，Q4，Q1代表質(zhì)量最高。
CiteScore分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2024年最新版）
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||||||||||||||
| 4 | 0.39 | 0.854 |
|
名詞解釋：
CiteScore：衡量期刊所發(fā)表文獻的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經(jīng)過加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學(xué)科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標(biāo)準(zhǔn)化影響將實際受引用情況對照期刊所屬學(xué)科領(lǐng)域中預(yù)期的受引用情況進行衡量。
其他數(shù)據(jù)
| 是否OA開放訪問： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 未開放 | 59 | 293 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 2.61% | 1.9 | 0.01... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國際期刊預(yù)警名單（試行）》名單： |
| 99.32% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
發(fā)文統(tǒng)計
近年引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 377 |
| MICROELECTRON J | 225 |
| IEEE T CIRCUITS-I | 195 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 156 |
| IEEE T CIRCUITS-II | 127 |
| AEU-INT J ELECTRON C | 117 |
| IEEE T VLSI SYST | 107 |
| ELECTRON LETT | 95 |
| IEEE T MICROW THEORY | 88 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 80 |
近年被引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| MICROELECTRON J | 225 |
| AEU-INT J ELECTRON C | 129 |
| ANALOG INTEGR CIRC S | 105 |
| J CIRCUIT SYST COMP | 85 |
| IEEE ACCESS | 72 |
| CIRC SYST SIGNAL PR | 53 |
| INT J THEOR PHYS | 44 |
| IET CIRC DEVICE SYST | 43 |
| SENSORS-BASEL | 43 |
| INTEGRATION | 41 |
近年文章引用統(tǒng)計：
| 文章名稱 | 數(shù)量 |
| Programmable multi-direction ful... | 13 |
| Performance improvement of nano ... | 12 |
| A survey of single and multi-com... | 12 |
| Classical and fractional-order m... | 9 |
| Wearable technologies for hand j... | 9 |
| Electronically reconfigurable tw... | 8 |
| Fractional-order band-pass filte... | 7 |
| Entanglement and physical attrib... | 7 |
| Multi stage OTA design: From mat... | 7 |
| Memristor-CNTFET based ternary l... | 7 |
相關(guān)期刊
| 同小類學(xué)科的其他優(yōu)質(zhì)期刊 | 影響因子 | 中科院分區(qū) |
| Journal Of Energy Storage | 8.9 | 2區(qū) |
| International Journal Of Ventilation | 1.1 | 4區(qū) |
| Journal Of Environmental Chemical Engineering | 7.4 | 2區(qū) |
| Complexity | 1.7 | 4區(qū) |
| Chemical Engineering Journal | 13.3 | 1區(qū) |
| Electronics | 2.6 | 3區(qū) |
| International Journal Of Hydrogen Energy | 8.1 | 2區(qū) |
| Aerospace | 2.1 | 3區(qū) |
| Buildings | 3.1 | 3區(qū) |
| Shock Waves | 1.7 | 4區(qū) |
更多問題
免責(zé)聲明
若用戶需要出版服務(wù)，請聯(lián)系出版商：ELSEVIER SCI LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OXON, OX5 1GB。